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k8 リベート源
k8 リベート源技術，それは、保存され蓄積される非常に大量のエネルギーです（数百ジュール程度），高速スイッチングによる大～数十メガジュール，ナノ秒からミリ秒以内に解放される，こうして極めて高いパルス出力電力が得られる。新興の科学技術として，約 40 年，k8 リベート源技術は大きな注目を集め、急速に発展しています。 Sun.King k8 リベート源技術，高度な技術レベルを持っている，多くの国で主要な科学技術分野で優れた成果を達成。
PPS-TH51 k8 リベートパワーコンポーネント
汎用:
食品の殺菌に使用可能、医療システム、レーダー電源、セキュリティ システム、高出力レーザー、電子線加速器、地震研究、環境保全システム（脱硫・脱硝電気フィルター）などのk8 リベート源システム，サイラトロン管の交換にも使用可能。
製品の特徴:
k8 リベート 30kV の定格電圧
最大 20kA の非反復k8 リベート流
最高のk8 リベート繰り返し周波数は 1300Hz
k8 リベート 10kA/us のk8 リベート di/dt 能力
モノリシックに集積された逆導通フリーホイーリング ダイオード
サイラトロンと比べて振動がない
空冷または液冷
k8 リベート電源、モニター、駆動システムを統合
10.5k8 リベートスイッチAA-10368-004k8 リベート仕様
| パラメータ | シンボル | 備考 | 最小値 | 典型的な値 | k8 リベート値 | ユニット |
| 動作電圧 | V | 100FIT | - | - | 10.5 | k8 リベートDC |
| k8 リベート流 | I | 単一k8 リベート (10us) | - | - | 20 | k8 リベート |
| 現在の上昇率 | ディ/dt | - | - | 10 | k8 リベート | |
| k8 リベート繰り返し率 | f | 動作電流 1200A | - | - | 1300 | Hz |
| 逆漏れ電流 | 漏洩 | - | - | 20 | mA | |
| シリーズ シリーズ | n | - | 4 | - | 個 | |
| k8 リベートシステム | - | 4 | m3/秒 | |||
| 動作温度 | 強制空冷 | 5 | - | 60 | ℃ | |
| 保管温度 | -25 | - | 85 | ℃ | ||
| ロジック電源 | Vロジック | 48 | - | 72 | VDC | |
| ロジックの消費電力 | P | 4 コンポーネント、1300Hz | - | - | 80 | W |
PPS-TH91 k8 リベートパワーコンポーネント
汎用:
環境保護システム（脱硫・脱硝電気フィルター）に使用可能、サイラトロンの交換、材料処理、食品の殺菌、磁気成形加工、医療システム、セキュリティ システム、電子線加速器、地震研究およびその他の分野におけるk8 リベート源システム。
製品の特徴:
k8 リベート 30kV の定格電圧
最大 50kA のk8 リベート流
高いk8 リベート繰り返し率
k8 リベート電流上昇率は 30kA/us に達します
モノリシックに集積された逆導通フリーホイーリング ダイオード
リクエストに応じてリバース ブロッキング バージョンも利用可能
サイラトロンと比較して振動がない
サイラトロンに比べて、どの位置でも設置可能
対流k8 リベート、強制空冷または液体k8 リベート
高いk8 リベート繰り返し率で液体冷却を使用する
ご要望に応じて対流k8 リベートまたは強制空冷を選択
k8 リベート電源、モニター、駆動システムを統合
20k8 リベートスイッチAA-10375-008k8 リベート仕様
| パラメータ | シンボル | 備考 | 最小値 | 典型的な値 | k8 リベート値 | ユニット |
| 動作電圧 | V | 100FIT | - | - | 25 | k8 リベートDC |
| k8 リベート流 | I | 単一k8 リベート (10us) | - | - | 50 | k8 リベート |
| 現在の上昇率 | ディ/dt | - | - | 30 | k8 リベート | |
| 逆漏れ電流 | 漏洩 | - | - | 10 | mA | |
| シリーズ シリーズ | n | - | 8 | - | 個 | |
| k8 リベートシステム | - | 水冷 | 50 | リットル/分 | ||
| 動作温度 | 5 | - | 60 | ℃ | ||
| 保管温度 | -25 | - | 85 | ℃ | ||
| ロジック電源 | Vロジック | 48 | 48 | 72 | VDC |