シk8 入金反映ル IGBT デュアル スイッチ (当社の ED タイプの約 1/3)

電流密度を記録 1.2kV, k8 入金反映k8 入金反映4mm3 で 2x250A

–非常に低いインダクタンス <10nHà大幅に低い過電圧

–最低の接触抵抗 <0.9mΩ，ローの最適な使用VCEsatIGBT

–低Rth頑丈なおかげで優れたサイクリk8 入金反映能力を備えていますシヌ基材

–内蔵サーミスター