Sun.モーツァルト k8 が第 3 回世界 xEV ドライブ システム技術および産業カンファレンスに自動車グレードの SiC モジュールを出展

この会議で，Sun.モーツァルト k8 のテクニカル ディレクター兼マーケティング ディレクターである Ma Xiankui 氏は、「新しい高効率、高電力密度のパッケージ化された車載グレードのパワー モジュール」をテーマに講演しました。。馬仙奎氏はパワーモジュールのアプリケーション要件から始める，電気自動車ドライブのパワーモジュールの技術要件の紹介，パワーモジュールのパッケージング技術の実装にも及ぶ，また、Sun.モーツァルト k8 の新しいパッケージング モジュール コンセプト - 「プレス射出パッケージング HEEV モジュール」および自動車グレードのコンパクト 6 イン 1 パッケージング モジュール - 「EVD パッケージング モジュール」。これは、急成長する電気自動車市場に対するサンキング社の積極的な対応であり、顧客に適切にサービスを提供する意欲の表れです。

車載グレードの モーツァルト k8C モジュール - HEEV パッケージの モーツァルト k8C モジュール

HEEV パッケージ化された モーツァルト k8C モジュールは、より高い電力密度を備えた新しいパッケージ化されたモジュール，主にハイエンド電気自動車のシステム要件に合わせて調整され、電気自動車アプリケーション向けに調整されています。ハイパワーに出会う、軽量かつ高信頼性の必要性，高性能モータードライブのアプリケーション要件も考慮に入れる。HEEV パッケージの モーツァルト k8C モジュールは 1200V モーツァルト k8C MOSFET チップを使用，800V 高電圧プラットフォーム アプリケーションに最適。Rds(on) 最低 1.8mΩ@25℃，最大 250kW の電気駆動電力に適用。設計と適用がより簡単かつ効率的になりました。

それだけじゃない，このモジュールは非常にコンパクトになるように設計されています，電気ドライブの軽量化に貢献，冷却に直接水冷を使用，熱抵抗を低減する先進的なセラミック材料と O リング シーリング設計；信頼性を高める射出成形パッケージ，環境への配慮を改善する，さらに優れたパワーサイクル寿命を保証します。さらに，このモジュールも銅を含まないバックプレーンモーツァルト k8を使用しています，銅ベースプレートとAMB（絶縁基板）の間の大面積のはんだ付け層を避ける，より長いパワーサイクル寿命とより低い熱抵抗を実現するため。同時に，浮遊インダクタンスも非常に小さい，SiC 高速スイッチングおよびその他の特性に最適。

業界大手企業と同仕様のパッケージモジュールの比較，荷物のサイズ/容量に関して，Sun.モーツァルト k8 モジュールのサイズが半分に縮小；接続インピーダンスの観点から，Sun.モーツァルト k8 モジュールが半分に減少；パッケージの浮遊インダクタンスに関して，Sun.モーツァルト k8 モジュールの浮遊インダクタンスが 1/3 に減少。

HEEVパッケージモーツァルト k8Cモジュール(1200V)と業界大手の同仕様パッケージモジュールとの主要パラメータの比較

車載グレモーツァルト k8のコンパクト 6 イン 1 パッケージ モジュール - EVD パッケージ モジュール

EVD パッケージ モジュールは、サンテック自動車グレードのコンパクトな 6 イン 1 パッケージ モジュールです，主要な製品カテゴリは、モーツァルト k8 モジュールと モーツァルト k8C モジュールの両方と互換性があります，信号端子を使用した革新的なプロセスと設計，高度な内部 モーツァルト k8C チップ並列配置を備えています，非常に低い接続インピーダンス。

業界大手企業と同仕様のパッケージモジュールの比較，MOSFET のオン抵抗に関して，Sun.モーツァルト k8 モジュールはオン抵抗を 10~30% 削減；接続インピーダンスの観点から，Sun.モーツァルト k8 モジュールのパッケージ インピーダンスは 1/3 低くなります；スイッチング損失に関して，同じスイッチング速度で同等またはより低いスイッチング損失。パワー モジュールのアプリケーションでは、電気的性能と長期的な動作信頼性の両方に注意を払う必要があります，市場の主流の製品パッケージと互換性があります。

EVDパッケージモーツァルト k8Cモジュール(1200V)と業界大手の同仕様パッケージモジュールの主要パラメータの比較

包装モーツァルト k8の発展に伴い，プレス射出パッケージの HEEV モジュールは低ノイズ、小型サイズとその他の機能，SiCチップの性能を最大限に活用できる。EVD パッケージ製品により、お客様は既存の Si 製品のシステム設計を最大限に活用できます，同時に、柔軟なビジネス供給も可能。

モーツァルト k8の同時展示

会議会場にて，Sun.モーツァルト k8 は自動車グレードの HEEV パッケージ SiC モジュールをデモしました，および i20 シリーズ 1700V IGBT チップセット、ED パッケージ モジュール、ST パッケージ モジュール、EV パッケージ モジュール，会議に参加した技術専門家と顧客の間に広範な懸念を引き起こした。電気駆動分野におけるサンキングの強力な技術力を反映。

Sun.モーツァルト k8 のブースの前，さまざまな学会の専門家が訪問して相談に来ました，そしてオンサイト技術も、営業スタッフは綿密なコミュニケーションをとっていた。世界クラスのテクノロジーと優れたパフォーマンスを備えています，国内外の業界専門家や顧客から満場一致で認められ、高い評価を獲得。

西京は常に独立した研究開発の戦略的方向性を堅持します，「モーツァルト k8革新により」，グリーン エネルギーの開発を促進する」が私たちの使命，業界トップのモーツァルト k8専門家を中心としたチーム，国産の高品質 IGBT の開発に取り組む、SiC製品，電気自動車の運行、新エネルギー発電、産業制御およびその他の国家戦略的新興産業，低炭素・省エネの人類社会を実現するために、グリーンで持続可能な開発に貢献する。